SOI芯片光電探測器陣列
SOI芯片式光電探測器陣列，該產(chǎn)品基于硅基鍺-硅光電探測器，實(shí)現(xiàn)了多通道光電探測器的單片化集成，可片上集成光學(xué)混頻器，芯片尺寸小，集成度高，偏振相關(guān)性小，模擬帶寬大，可提供裸片或光電一體化封裝產(chǎn)品方案。
SOI芯片光電探測器陣列特性
SOI芯片光電探測器陣列規(guī)格參數(shù)
參數(shù)指標(biāo) Parameters 單位 Unit 最小值 Min. 典型值 Typ. 最大值 Max. 備注 Notes 波長范圍 Wavelength range nm 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm 暗電流 Dark current nA 35 50 3 dB模擬帶寬 3 dB bandwidth GHz 28 光飽和功率 Optical saturation power mW 10 響應(yīng)度 Responsibility A/W 0.8 0.85 90度光學(xué)混頻器損耗 90°mixer loss dB 6 6.5 6.7 90度光學(xué)混頻器相位失衡度 90°mixer phase unbalance ° 5 通道數(shù) Number of channels 8或可定制 8 or Can be customized 光纖接入損耗 Insertion loss dB ≤0.5 偏振相關(guān)損耗 PDL dB ≤0.3 工作溫度范圍 Operating temperature range °C -20 50 工作濕度范圍 Operating humidity range % +65 芯片尺寸 Chip Dimensions mm 4(L)×5(W)×0.5(H)
芯片尺寸
四川梓冠光電SOI芯片光電探測器陣列訂貨信息
ZG 波長 Wavelength 通道數(shù) Number of channels 類型 Type 13=1310nm 15=1550nm 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH 48=48CH XX=other 1=光電探測器 1=PD 2=混頻器 2=Mixer XX=other
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